鏖战3纳米！三星之配景积电公布下半年量产，移动芯片先用

环球半导体制程工艺向3纳米推进。继三星在本年6月30日争先公布3纳米量产后，台积电3纳米量产正在稳步推进。

8月18日，台积电副总监陈芳在2022年天下半导体大会上表现，台积电3纳米芯片将在本年下半年量产，已经对部分移动和HPC（高性能盘算）范畴的客户交付，假如有手机的客户当下接纳3纳米芯片，来岁产物就能问世。

在5纳米芯片量产两年后，芯片工艺推进到又一个关键的工艺节点——3纳米。三星和台积电在3纳米工艺上举行猛烈的竞走，从时间上，三星领先一步，台积电要晚几个月时间。

三星公司 视觉中国 资料图

本年6月30日，三星率先公布量产3纳米全围绕栅极（GAA）制程工艺借点，成为环球首家量产3纳米芯片的半导体晶圆代工厂。

台积电之前官方多次对外开释的消息是，3纳米将在本年下半年量产。本年6月份，台积电在2022年北美技能论坛上披露，本年下半年量产的N3技能（3纳米），接纳FinFET 技能。

因此说，台积电在3纳米技能上连续利用多年的FinFET架构，相对守旧，而三星在3纳米上更具冒险性，选择GAA工艺。GAA工艺被以为改善了FinFET架构某些不敷，能提升芯片的功率以及服从。

台积电公司 视觉中国 资料图

台积电在上述技能论坛上公布3纳米家属技能演进规划，2022-2025年连续推出N3、N3E、N3P、N3X等制程，后续亦会推出优化后的N3S制程，涵盖智能手机、物联网、车用电子、高性能运算等四大平台应用。

这也意味着台积电3纳米技能将独吃2到3年，尤其是人工智能芯片和高性能运算芯片，为台积电带来可观的收入和利润。

三星表现，第一代3纳米工艺接纳GAA晶体管技能，大幅提升了效能。5纳米FinFET工艺相比，第一代3纳米工艺可使功耗低落45%，性能提升23%，芯单方面积镌汰16%。三星筹划推出两种3纳米GAA工艺——3GAE和3GAP。

环球芯片代工两大巨头在3纳米工艺量产后开始争抢客户。最新的消息表现：只管三星电子积极夺取3纳米芯片订单，但台积电继续从苹果和英特尔等供应商那里得到3纳米芯片订单答应。

日前，台媒报道称，苹果将成为首家接纳台积电3纳米工艺的用户，首款产物大概是M2Pro芯片以及iPhone15系列将会搭载的A17芯片。

据DIGITIMES最新援引消息人士的话报道称，三星正在积极扩大其3纳米客户组合，但尚未取得巨大盼望。但鉴于无晶圆厂供应商的供应商多元化战略，以及对其与三星移动部分业务的其他思量，高通被视为三星3纳米 GAA 工艺最有大概的客户。

由于良好的性能以及越来越大的规模上风，台积电比年发展浩繁客户，包罗英伟达、AMD、联发科、高通等浩繁科技巨头都把订单交给了台积电。

DIGITIMES报道称，AMD、苹果、博通、英特尔、联发科、英伟达和高通等厂商均已向台积电下达3纳米芯片订单。