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IT之家 12 月 29 日消息，据外媒ChosunBiz报道，SK海力士日前在美国组建了一家名为 SK HNA（SK hynix NAND Development America）的子公司，并通过“挖英特尔墙角”招募了多位“具有数十年履历”的专家，以期进步自家 NAND 竞争力。 据悉，SK HNA公司位于美国加州圣何塞，由约 30 名研究职员构成，唯一目标是“专注于开发高性能 NAND 技能”。 外媒提到，SK 海力士本月从英特尔招募了资深主任工程师 Richard Pasto，这名工程师拥有 28 年履历，此前曾在 AMD、Spansion 和 Cypress Semiconductor 工作过，在半导体范畴拥有包罗 3D NAND 技能在内的数十项专利。 除了 Richard Pasto 外，SK 海力士还在本年 6 月招募了一位拥有 30 年履历的存储筹划专家 Rezaul Haque，在本年 11 月招募了一位曾在英特尔 NAND 范畴工作 13 年的工程师 Erika Shiple，现在上述三位人才已经成为 SK HNA 公司的“关键部分负责人”。 外媒同时声称，SK 海力士筹划使用 SK HNA 子公司吸引更多 NAND 方面的人才，并可以大概与 SK 海力士旗下另一家从英特尔收购的子公司 Solidigm 产生协同效应，从而缩小与三星电子等对手之间的差距。 另据IT之家早前报道，SK 海力士筹划在 2024 年启动 HBM4 研发，并推动 CXL 内存贸易化量产工作，筹划在2024 年上半年完成 96GB 和 128GB 产物的客户认证，并在下半年实现贸易化。 |
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