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专利择要体现，本公开提供一种半导体结构的制作方法及半导体结构，半导体结构的制作方法包罗：提供衬底；在衬底上形成叠层结构；在叠层结构的顶部形成支持结构；刻蚀叠层结构，形成沿第一方向隔断排布的多个栅极结构，支持结构贯穿多个栅极结构的顶部，且沿第一方向延伸。起首在叠层结构上形成支持结构，然后通过刻蚀叠层结构得到沿第一方向排布的多个栅极结构，并使得支持结构沿第一方向延伸并贯穿多个栅极结构的顶部，通过设置支持结构，可以大概有效进步栅极结构的深宽比，进而进步半导体结构的电性能，通过支持结构将多个栅极结构形成可靠支持和毗连，可以大概有效克制栅极结构在洗濯等过程中剥离，包管产物良率。 |
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