IT之家 12 月 19 日消息,SamMobile 消息称,ASML 将于未来几个月内推出用于 2nm 制程节点的芯片制造装备,将数值孔径(NA)光学性能从 0.33 进步到 0.55,而三星操持在 2025 年底开始生产 2nm 芯片。 据称,ASML 来岁规划产能仅有 10 台,而英特尔已经预订了此中 6 台,不外 ASML 操持在未来几年内将此装备产能进步到每年 20 台。 现在,ASML 官网列出的 EUV 光刻机仅有两款 ——NXE:3600D 和 NXE:3400C,均配备 0.33 NA的反射式投影光学器件及13.5nm EUV 光源,分别实用于 3/5nm 和 5/7nm 芯片制造。 ▲NXE:3600D ASML 发言人曾透露,EXE:5200 是 ASML 下一代高 NA 体系,具有更高的光刻分辨率,可将芯片缩小 1.7 分之一,同时密度增长至 2.9 倍。 ▲ASML 高 NA 体系蹊径图 之前的报道体现,ASML 第一台 0.55 NA EUV 光刻机操持于 2025 年后量产,第一台将交付给英特尔。 英特尔发言人称,公司将成为 ASML 第一台 EXE:5200 的买家。与 EXE:5000 相比,EXE:5200 预计将带来几项改进,包罗更高的生产率等等。 根据 Gartner 分析师 Alan Priestley 的推测,0.55 NA EUV 光刻机单价将翻番到 3 亿美元(IT之家备注:当前约 21.42 亿元人民币)。 |

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