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研究职员在自旋电子器件制造工艺方面获新突破

集微网消息，据科技日报3月24日报道，美国明尼苏达双城大学研究职员和国家标准与技能研究院(NIST)的团结团队开辟了一种制造自旋电子器件的突破性工艺，该工艺有大概成为半导体芯片新的行业标准。研究论文发表在近来

集微网消息，据科技日报3月24日报道，美国明尼苏达双城大学研究职员和国家标准与技能研究院(NIST)的团结团队开辟了一种制造自旋电子器件的突破性工艺，该工艺有大概成为半导体芯片新的行业标准。研究论文发表在近来的《先辈功能质料》上。

自旋电子学对于构建具有新功能的微电子装备来说非常紧张。自旋电子装备利用电子的自旋而不是电荷来存储数据，为传统的基于晶体管的芯片提供了一种有前程且更有用的更换方案。这些质料还具有非易失性的潜力，这意味着它们须要更少的能量，而且纵然在移除电源后也可存储内存和实验盘算。

明尼苏达大学研究职员通过利用铁钯质料更换钴铁硼，可将质料缩小到5纳米的尺寸，从而降服了这一困难。而且，研究职员初次可以大概利用支持8英寸晶圆的多室超高真空溅射体系在硅晶圆上生长铁钯。

该论文的第一作者、明尼苏达大学电气与盘算机工程系的博士生Deyuan Lyu说:“这项工作活着界上初次表明，可以在半导体行业兼容的基板上生长这种质料，它可以缩小到小于5纳米，所谓的CMOS+X计谋。”

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