本文由半导体产业纵横（ID：ICVIEWS）综合

美光乐成开发 HBM3E 12 层芯片，即第五代 HBM。

美光是继三星电子和 SK 海力士之后环球第三大内存半导体公司，已乐成开发出第五代 HBM——HBM3E 12 层芯片。

美光于9月9日正式公布推出12层堆栈的HBM3E内存。新产物具有36GB容量，旨在用于AI和HPC（高性能盘算）工作负载的前沿处置惩罚器，比方英伟达的H200和B100/B200 GPU。

（泉源：美光）

美光的12层HBM3E内存堆栈拥有36GB容量，比之前的8层版本（24GB）高出50%。容量增长使数据中央能够在单个处置惩罚器上运行更大的AI模子。此功能消除了频仍卸载CPU的须要，减少了GPU之间的通讯延长，加快了数据处置惩罚速度。

在性能方面，其可提供高出1.2TB/s的内存带宽，数据传输速率高出9.2Gb/s。据美光称，该公司的HBM3E不但提供的内存容量比竞争对手高出50%，功耗也低于8层HBM3E堆栈。

其内部包罗一个完全可编程的内存内置自检（MBIST）系统，以确保为客户提供更快的产物上市时间和可靠性。该技能可以全速模仿系统级流量，从而对新系统举行全面测试和更快的验证。

美光的HBM3E内存装备与台积电的CoWoS封装技能兼容，该技能广泛用于英伟达的H100和H200等AI处置惩罚器封装中。美光已送样给紧张相助同伴，以利用 AI 生态系统验证测试。

该公司还指出了制造人工智能系统的复杂性，HBM3E 并非孤立产物，而是集成在 AI 芯片系统中，这仰赖于内存供应商、产物客户与 OSAT 企业的通力相助，并夸大它与环球第一泰半导体合约制造商台积电有着恒久战略相助同伴关系，美光是台积电 3DFabric 先进封装同盟的相助同伴成员。

台积电生态系统与同盟管理处处长 Dan Kochpatcharin 此前体现：“台积电与美光一直保持着恒久的战略相助同伴关系。作为 OIP 生态系统的一部分，我们密切相助，使美光基于 HBM3E 的系统与 CoWoS 封装计划能够支持客户的人工智能创新。”

存储之争

自 2014 年首款硅穿孔 HBM 产物发布至今，HBM 技能已经发展至第五代，分别是：HBM（第一代）、HBM2（第二代）、HBM2E（第三代）、HBM3（第四代）、HBM3E（第五代），HBM代际升级紧张体如今数据速率和容量密度上，HBM 芯片容量从 1GB 升级至 36GB，带宽从 128GB/s提拔至 1.2TB/s，数据传输速率从 1Gbps 进步至 9.2Gbps。

从竞争格局来看，HBM 范畴的紧张供应商还是存储器三大巨头 SK 海力士、三星以及美光，为应对环球 GPU 需求一连高增长的趋势。根据 Trendforce 数据，预计 2024 年 SK 海力士在 HBM 市场中的市占率预计为 47-49%，三星电子的市占率为 47-49%、美光的市占率为 3-5%。

SK海力士作为环球领先的半导体制造商，在HBM存储范畴具有紧张职位。该公司已公布预计将在2024年9月尾实现12层HBM3E内存的量产，这一举措将进一步巩固其在高端存储市场的领先职位。

且该公司的HBM3E内存同样具有高性能、低功耗等特点，且已通过关键的性能测试，确保在高负载下的稳固性。

现在，SK海力士和美光正在向英伟达提供8层HBM3E芯片。

据报道，三星电子已通过英伟达的 HBM3E 8 层产物测试并开始出货，但英伟达和三星均未对此事发表评论，还没有其他芯片制造商正式体现向英伟达供应 HBM3E 12 层芯片。

SK 海力士已向英伟达交付了 HBM3E 12 层样品，预计将于本年第四季度开始出货。三星电子也交付了样品，但据报道仍在举行质量测试。

一些分析师体现，英伟达正试图在 HBM 供应商之间创造竞争。

英伟达首席执行官黄仁勋于 4 月访问了 SK 集团董事长崔泰源。黄仁勋要求 SK 海力士尽快提供产物以及研发订单，体现出与崔泰源的密切关系。3 月，黄仁勋在英伟达开发者大会上来到三星展位，并在 HBM3E 芯片上署名，称三星是一家“非凡的公司”。

从市场战略来看，SK 海力士依附是现在绑定英伟达 AI GPU 的 HBM3 存储的唯一供应商，确立了在 HBM 存储市场的领导职位，且 2024 年的 HBM 产能可能已被预订满。美光则通过 HBM3E 产物的能效和领先的性能上风，实验在高端内存市场取得竞争上风，也受到了极大关注和爱好。

随着 AI 的发展，HBM 需求增长敏捷，着名研究机构猜测，HBM 存储产物的市场规模预计将从 2024 年的约 25.2 亿美元激增至 2029 年的 79.5 亿美元。在如许的市场远景下，美光和 SK 海力士的竞争将对 HBM 市场的格局产生紧张影响，包罗市场份额的变化、技能的发展方向以及对鄙俚 AI 产业的支持等方面。

据悉，美光已开始开发其下一代内存办理方案，包罗HBM4和HBM4E。这些即将推出的内存范例将继承满意AI处置惩罚器（包罗基于Blackwell和Rubin架构的英伟达GPU）对高级内存日益增长的需求。

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