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英特尔高管：未来芯片制造将镌汰对ASML高NA EUV光刻机的依赖

IT之家 6 月 21 日消息，据投资研究平台 Tegus 披露的讨论内容，一位匿名英特尔总监表示，未来晶体管计划将低落对先辈光刻设备的依赖，转而提拔刻蚀技能的核心职位。他以为，随着全围绕栅极场效应晶体管（IT之家注：

IT之家 6 月 21 日消息，据投资研究平台 Tegus 披露的讨论内容，一位匿名英特尔总监表示，未来晶体管计划将低落对先辈光刻设备的依赖，转而提拔刻蚀技能的核心职位。

他以为，随着全围绕栅极场效应晶体管（IT之家注：即 GAAFET）和互补场效应晶体管（CFET）等新型结构的发展，高端芯片制造对光刻环节的总体需求将会减弱。

当前芯片制造流程中：

这位英特尔总监夸大，GAAFET 与 CFET 等三维晶体管结构要求“从各个方向包裹栅极”，使得横向去除多余材料成为关键，“制造商将更专注于通过刻蚀工艺去除材料，而非延长晶圆在光刻机中的处理时间来缩小特性尺寸。”

▲台积电的 PPT，展示了晶体管的演变过程

对于当前技能方案，现在最主流的还是鳍式场效应晶体管（FinFET），使晶体管底部毗连绝缘材料，使电流畅过栅极来完成控制；而新型计划则重要包罗：

英特尔总监表示，这种三维结构使芯片制造“低落对最小特性尺寸的依赖，由于不但能在平面上实现高密度，还能通过垂直堆叠告竣”，因此高数值孔径光刻机在先辈制程中的紧张性“将低于当前 EUV 设备在 7nm 及更先辈技能节点中的关键职位”。

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