存储芯片市场正在迎来转机

经济观察报 记者 郑晨烨“水逆”许久的存储芯片市场正在迎来拐点。

11月以来，多只存储芯片概念股一连走强。在披露了子公司生产的存储芯片已小批量交付后，协创数据（300857.SZ）的月内股价从27.6元/股暴涨至 55.42元/股，涨幅高达100.65%；全资收购韩国GSI公司进军存储芯片测试业务的亚威股份（002559.SZ） 月 内 股 价 亦 飙 涨59.63%；产物线覆盖 SSD固态硬盘、DRAM内存条、嵌入式存储的移动存储第一股、朗科科技（300042.SZ）股价在11月的涨幅亦高达45.36%。

干系公司股价回暖的背后，是曾经“跌跌不休”的存储芯片代价开始在本年四序度大幅攀升。据行业着名咨询机构CFM闪存市场的数据，自10月份以来，现货市场NANDFlash（闪存）代价指数涨幅已达40%。从华南部门存储芯片经销厂商处记者亦相识到，现在以三星、西部数据以及金士顿为代表的固态硬盘产物，在近来数月内代价均出现显着回升，回升幅度广泛在100元至130元之间。

有市场观点以为，此轮存储芯片代价“翻盘”，是范例的财产内供需双方相互效果的效果。对于芯片生产厂商来说，在财产履历了2022年的重创后，以三星电子、SK海力士为代表的存储巨头均出现不小程度的业绩下滑以致亏损，于是“提价”加“减产”开始成为各家存储厂商的共识。

除了刚强地实行去库存计谋的上游企业，卑鄙的消耗电子市场亦出现出回暖迹象。根据IDC的调研数据，2023年10月23日至11月3日期间，团体PC市场（含电商平台、厂商官网及线下传统渠道的条记本及台式机市场）销量同比上升1.4%。别的，平板市场销量同比增长13.5%，手机市场销量同比增长10.2%，表现器市场销量同比增长5.3%，智能手表（不含儿童表）市场销量同比增长23.6%，手环市场同比增长15.2%。

IDC指出，本年“双11”期间，PC、手机、平板三大主流消耗电子终端的需求均得到超出预期的增长，这也是拉动团体智能终端市场的重要缘故原由之一。

CFM闪存市场分析师孙梦维告诉记者，从存储财产供、需双方情况来看，固然当前干系产物价位仍在底部区间，也不扫除卑鄙个别渠道商为刺激出货增长现金流小幅贬价，但这都不会改变团体行情上扬的趋势。

大力大肆去库存终有效果

受终端需求不振和财产链库存高企影响，自2022年至今，存储芯片行业端庄历一段“汗青级”的困难时期。

三星电子的三季报表现，公司存储芯片业务实现营收10.53万亿韩元，同比镌汰31%，包罗存储芯片业务在内的半导体业务部门（DS部门）在三季度净亏损高达3.75万亿韩元；SK海力士在2023财年第三季度实现营收为9.0662万亿韩元，业务亏损达1.79万亿韩元，净亏损为2.19万亿韩元；美光科技2023财年第四财季数据表现，其当季实现营收40.1亿美元，同比镌汰39.64%，净亏损为14.3亿美元。

在A股中，重要的上市存储企业，三季度业绩都不甚抱负。兆易创新（603986.SH）在2023年前三季度实现营收43.94亿元，同比镌汰35.08%，实现归母净利润4.34亿元，同比暴跌79.27%；佰维存储（688525.SH）2023年前三季度营收约21.22亿元，同比镌汰2.88%，归母净亏损约4.84亿元；江波龙（301308.SZ）2023年前三季度实现营收 65.79亿元，同比下滑0.73%，归母净亏损达8.83亿元。

“三星、SK海力士、美光、铠侠和西部数据五家原厂合计亏损，从Q1亏损100亿美元收敛至Q2亏损85亿美元再到Q3亏损65亿美元，累计亏损250亿美元，压力之大可想而知。”孙梦维指出。

一连亏损之下，扭转财报业绩便成为各大存储厂商“唯一”关注的事。

孙梦维告诉记者，对于存储原厂来说，减产、控制产能释出是实现业绩扭转的最快本事。据CFM闪存市场统计，现在，各大存储原厂NANDFlash减产幅度都在30%—50%左右，尤其是产能占比力大的成熟制程产物，各大厂对来岁的资笔僻出和产能释出也都持审慎态度，需根据库存水位及红利情况机动调解。

“此番下行周期是比年来一连时间最长、跌幅最大的一次，也给各大原厂带来了史无前例的策划压力。所谓物极必反，正是在云云高压下，竞争剧烈的存储原厂才步调同等，强势减产拉涨代价，其刻意之大可见压力之重。”孙梦维说。

集邦咨询分析师敖国锋亦向记者表现，国际存储大厂减产重要着眼于去化市场多余存储芯片库存，克制存储芯片代价进一步下滑。眼下，此举已在第四序度迎来效果，闪存芯片产物在本季出现全面反弹。

除了调解产能，镌汰库存，不肯继续做亏本交易的存储巨头也开始携手涨价。

克日就有市场消息称，三星电子已和重要客户签署了采购合约，而且在第四序度将合约价上调10%—25%，此中调价最猛的SSD产物，合约价涨幅最高达30%，SK海力士亦在10月官宣将对DRAM和NAND闪存芯片举行涨价，美光科技也被曝光将跟进调价。

三大应用市场“回温”

在10月31日举行的三星电子财报电话会上，该公司管理层指出，得益于PC/移动装备高密度产物的日益遍及、客户库存调解即将完成以及高端面向AI产物的一连强劲，需讨情况有所改善。

“在行业广泛减产之后，市场对行业触底的认识不绝扩大，我们收到了大量的购买扣问。在一连专注于红利本事的运营下，我们继续扩大了如HBM/DDR5和UFS4.0等先辈节点产物的贩卖。对于那些库存程度相对较高的传统产物，我们通过低落生产来镌汰库存。”三星电子高管在财报电话会中指出。

孙梦维告诉记者，三大应用市场（服务器、Mobile、PC）下半年环比回温，但存储代价下跌也加快终端装备均匀容量的增长，带来存储“甜蜜点效应”。

她指出，在三大应用市场中，现阶段手机需求较为清朗，环球手机销量环比回暖，在华为强势归来以及国内手机容量设置提升的影响下，中国手机市场也得到提振。

“从各大手机品牌厂商的FCST来看，2024年的销量预期较2023年微幅增长，预计2023年环球智能手机出货量为11.5亿部，为近几年的最低点，但2024年将有望规复增长至12亿部。同时，本年以来，PC市场环比需求渐渐改善，渠道库存回归正常水位，在新处置处罚器平台以及Windows更新的动员下，来岁将会迎来肯定的换机需求，预计2024年PC出货量将由2023年的下跌14%规复至增长8%”，孙梦维表现。

兆易创新的管理层在三季度的业绩互换会中亦指出，随着减产效应的表现，供需会到达均衡的状态，大存储的代价有望一连反弹的走势，但也不太会出现暴涨暴跌的情况。

“存储分为大存储和利基存储两大块。大存储包罗用于手机、PC和服务器的DRAM以及3DNand，重要供应商为以三星为代表的国际头部厂商。大存储履历了约6-7个季度的下跌周期，在本年第三季度已经到达了代价的底部区间，随侧重要厂商的一连减产，到达了供需根本均衡的状态。在本年三季度末大存储出现了一些代价反弹，此反弹对利基存储有肯定的动员效应，利基存储代价也在筑底并有单薄反弹。”兆易创新管理层分析。

在集邦咨询资深研究副总司理吴雅婷看来，推测2024年，存储市场将有下列三个关注事项：一，减产后原厂库存水位已开始降落，但仍需观望库存能否一连往买方转移；二，预期原厂产能将痴钝增长，倘若因市况回温而提早规复稼动率，将使得供需再次失衡；三，各终端需求能否符合预期回温，此中AI干系订单的一连将是重心。

但同时，她亦向记者夸大，由于缺乏实质终端强劲的需求出现，现阶段存储芯片的涨势一连性仍不清朗，倘若需求准期在2024下半年回升，尤其服务器SSD采购动能有所提升，再加上供货商不躁进规复产能使用率，加快供需均衡，闪存代价便有望出现整年走升的格局。

国产存储的新突破

本年以来，在两大重要的存储芯片品类（DRAM和NANDFlash）上，国内企业均取得了新的突破。

2023年11月28日，长鑫存储官宣正式推出LPDDR5系列产物，包罗12Gb的LPDDR5颗粒、POP封装的12GBLPDDR5芯片及DSC封装的6GBLPDDR5芯片。

据其官网先容，该公司自研自产的12GBLPDDR5芯片现在已在国内主流手机厂商小米、传音等品牌机型上完成验证。长鑫存储方面指出，DDR5产物的推出，将进一步美满公司在DRAM（动态随机存取存储）芯片的产物结构。

DRAM芯片市场不绝以来重要由三星、SK海力士和美光三家外洋存储厂商主导，东海证券在本年9月份发表的一份研报中指出，在2023年第二季度，三星电子占环球DRAM市场营收的38.14%，SK海力士占比达 32.29%，美光的市占率也到达25.03%，市场高度会合。寡头把持的格局使得国内厂商对DRAM芯片议价本事很低，也使得DRAM芯片成为我国受外部制约最严肃的根本产物之一。

因此，此次长鑫存储推出首个国产高端DRAM产物后，就有业内人士告诉记者，DDR5是一种高效能的手机和便携装备用内存，相比之前的版本，它传输数据更快，耗电更少，而长鑫存储实现了国产LPDDR5产物从零到一的突破，对当前亟待复苏的财产链来说是一个利好。

别的，在NANDFlash范畴，本年9月，长江存储旗下唯一零售存储品牌致态发布了一款Ti600固态硬盘，该产物采取长江存储原厂QLC闪存颗粒，基于自研架构，次序读取速率高达7000MB/s，提供500GB/1TB/2TB多种容量选择。

长江存储致态产物线负责人刘舒雯其时表现，QLC闪存芯片的性能和寿命不绝优化，以其为存储介质的固态硬盘开始进入零售市场。“NANDFlash技能正在发展成可以堆叠200层或更多层的情势，这意味着存储装备能存更多的数据。同时，DRAM内存技能也在进步，制造出更小尺寸（小于1β纳米）的芯片，让它们变得更高效。现在在这两个范畴，国产厂商都在朝着行业技能向导者职位发起打击。”CFM闪存市场分析师戴晓瑜告诉记者。但有分析人士也向记者夸大，在现在先辈制程产能装备取得受限的情况下，国产存储芯片将来扩张200层以上制程产能则是须要透过国内半导体装备商的技能突破才气完成。

沪上一家大型券商的半导体研究员亦向记者表现，由于国产存储芯片行业起步晚，缺乏技能积聚，因此大部门国内厂商都聚焦于利基型市场，与存储三巨头睁开错位竞争，比年来具有代表性的存储芯片计划及制造企业如兆易创新、长江存储、长鑫存储、武汉新芯等，都在 DRAM和 NANDFlash范畴渐渐突破技能壁垒，国产物牌将在将来一连搅动环球存储芯片市场的竞争格局。