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集微网消息，克日，国星光电在投资者互动平台体现，公司自主研发MicroLED巨量转移技能，现处于小批验证阶段，如今转移速率和良率稳步提拔。 据先容，MiniLED方面，国星光电已具备量产本领，此中IMD-M07实现规模量产，IMD-M09标准版依附高性价比广受客户好评，在标准版根本上继承打击高端市场，完成IMD-M09旗舰版大批量试产，色彩方面满意影院级色域要求，可提供更优质的视觉结果；MicroLED方面，初次开发出新型封装架构的MIP器件，制备出MIP体现模组，验证了MicroLED在＞100寸超高清显树模畴产业化大概性，最新推出第二代Micro LED新品——nStar Ⅱ，像素间距300微米（P0.3），实现了8bit（256灰阶）色深的体现结果，同时在巨量转移及巨量键合上得到突破，其综合良率达99.99% ，未来有望在大尺寸拼接智慧屏等高清体现产物中得到广泛应用。 在玻璃基Micro LED技能门路方面，国星光电将重点结构高端智慧屏、车载体现屏和智能手表；在硅基Micro LED技能门路方面，重点结构AR显树模畴。 如今，国星光电与华为在Mini&Micro LED、LED背光及体现模组、直显RGB器件、车载HUD、智能康健照明、光耦及功率器件、非视觉光源等方面开展深度创新互助，拓展未来业务覆盖。别的，国星光电积极拓宽第三代半导体范畴赛道，致力于打造高可靠性、高风致的功率器件封测业务，如今国星光电推出及研发的三代半产物可应用于新能源汽车充电桩，UPS电源等工业应用范畴与手机快充等消耗范畴。 （校对/占旭亮） |
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