新凯来首秀！31款半导体装备全披露，热度燃爆上海

作者|ZeR0

编辑|漠影

芯东西3月26日报道，本日，SEMICON China大会第一天，国产半导体装备商们展台人潮汹涌，热度爆棚，跟上海本日的温度一样火热。

国内半导体装备龙头北方华创发布首款12英寸电镀装备（ECP）Ausip T830，正式进军电镀装备市场，并在先辈封装范畴构建了包括刻蚀、去胶、PVD、CVD、电镀、PIQ 和洗濯装备的完备互连办理方案。Ausip T830装备突破30多项关键技能，电镀膜厚匀称性满足客户要求，可以大概有效添补孔直径2-12微米，孔深16-120微米的多种孔型产物。

背靠深圳国资委的国内半导体装备新锐创企新凯来，展台更是火爆，初次展示其工艺装备、量检测装备等全系列产物，并发布外延沉积装备EPI（峨眉山）、原子层沉积装备ALD（阿里山）、物理气相沉积装备PVD（普陀山）、刻蚀装备ETCH（武夷山）、薄膜沉积装备CVD（长白山）等5款新品：

• EPI（峨眉山）：专攻先辈制程及第三代半导体。

• ALD（阿里山）：支持5nm及更先辈制程。

• PVD（普陀山）：金属镀膜精度微米级，已进入中芯国际验证阶段。

• ETCH（武夷山）：聚焦第三代半导体刻蚀。

• CVD（长白山）：适配5nm，兼容多种制程节点。

新凯来总部位于深圳，焦点团队具备20年以上电子装备技能开发履历，致力于先辈半导体工艺装备、量检测装备的开发与制造，在上海、北京、西安、武汉、成都、杭州等国内都会以及外洋设有研发中心，创建了基础质料工艺-零部件-装备的端到端研发体系，服务逻辑、DRAM、NAND等客户。

该公司用山来定名各产物线：

• 扩散产物：EPI（峨眉山）、RTP（三清山）

• 刻蚀产物：ETCH（武夷山）

• 薄膜产物：PVD（普陀山）、ALD（阿里山）、CVD（长白山）

• 光学检测产物：BFI（岳麓山）、DFI（丹霞山）、PC（蓬莱山）、MBI（莫干山）

• 光学量测产物：DBO（天门山）、IBO（天门山）

• PX量测产物：AFM（祁蒙山）、XP XPS（赤壁山）、XD XRD（赤壁山）、XF XRF（赤壁山）

• 功率检测产物：RATE-CP、RATE-KGD、RATE-FT

以下是其工艺装备和量检测装备两大产物线先容：

18类工艺装备：

刻蚀、扩散、薄膜沉积

新凯来的工艺装备包括18类产物，此中刻蚀产物包括4款ETCH（武夷山），扩散产物包括3款EPI（峨眉山）、3款RTP（三清山），薄膜产物包括3款PVD（普陀山）、3款ALD（阿里山）、2款CVD（长白山）。

1、ETCH（武夷山）：12英寸刻蚀装备

ETCH（武夷山）包括4款，分别是武夷山1号（介质精致化刻蚀）、武夷山2号（高深宽比介质孔刻蚀）、武夷山3号（硅&金属精致化刻蚀）、武夷山5号（高选择比刻蚀）。

此中武夷山1号是电容耦合等离子体（CCP）干法刻蚀装备，腔室接纳全对称架构计划，整机可设置6个工艺腔（PM），满足先辈节点各类精致介质刻蚀场景需求，实用工艺包括打仗孔刻蚀、硬掩膜刻蚀、双大马士革工艺等，实用质料包括氧化硅、氮化硅、氮氧化硅等。

武夷山3号为电感耦合等离子体（ICP）干法刻蚀装备，全对称、高流导架构计划，整机可设置6个工艺腔（PM），腔室特点包括高同步、百区ESC、定制化射频办理方案等，可满足先辈节点各类精致硅及金属刻蚀场景需求，实用工艺包括栅极刻蚀、多重图形、鳍刻蚀等，实用质料包括硅、锗硅、氮化钛等。

武夷山5号为自由基干法刻蚀没备，氧化硅及硅选择性刻蚀组合办理方案，单腔计划，整机可设置6个工艺腔（PM），满足先辈节点高选择性刻蚀场景需求，实用工艺包括伪栅去除、无定形硅去除、源漏极回刻等，实用质料包括硅、绪硅、氧化硅、氮化硅等。

2、EPI（峨眉山）：12英寸单片减压外延生长装备

峨眉山接纳创新架构计划，全面覆盖逻辑及存储外延等应用场景，支持向将来先辈节点演进。

（1）峨眉山1号：源漏极锗硅外延工艺，硼摻杂锗硅，硼摻杂锗硅镓等质料。

（2）峨眉山2号：源漏极磷硅外延工艺，磷硅、磷硅砷等质料。

（3）峨眉山3号：沟道外延、超晶格叠层外延、埋层外延工艺，锗硅、纯硅、纯锗等质料。

该产物接纳多分区温控和流控体系计划，实现热流场精准调控，有效进步外延膜层匀称性；创新小腔室架构计划，搭配智能调度算法，实现资源高效使用，大幅低落运营本钱。

其焦点部件自主可控，与体系计划高度匹配，可到达最佳性能组合，有效提升装备稳固性。

3、RTP（三清山）：12英寸单片退火装备

RTP（三清山）系列包括3款，分别是三清山1号（超薄致密硅氧生长）、三清山2号（超浅源漏尖峰退火）、三清山3号（超快阱激活）。

（1）三清山1号：12英寸单片栅极氧化/氮化装备

三清山1号覆盖氧化/氮化/退火等逻辑及存储应用场景，具备精准温度控制和等离子体控制能力，实用工艺包括浅沟槽氧化、栅氧生长、高K质料退火、钛硅化物退火、ALD栅氧致密化等。

该产物的特点包括：接纳智能温控算法及微米级精度磁悬浮技能，实现高匀称性氧化及退火工艺；低占空比射频技能、高精度检测技能及毫秒级匹配算法，支持低损伤浅外貌氮化工艺；器件级同步技能及毫秒级控制环路技能，提升片间重复性；智能凋度算法及高效传输体系，大幅提升装备产能。

（2）三清山2号：12英寸单片超快尖峰退火装备

三清山2号覆盖尖峰退火/超快尖峰退火等逻辑及存储应用场最，具备大行程磁悬浮起落运动控制及背照式退火能力，实用工艺包括轻掺杂源漏退火、源漏退火、高K质料盖帽层退火等。

其产物特点包括：大行程磁悬浮起落技能及高吸取选择性反射板计划，有效低落尖峰退火工艺热预算；非对称式多区边沿赔偿技能及智能温控算法，实现高匀称性退火工艺；器件级同步技能及毫秒级控制环路技能，提升片间重复性；智能开环温控算法及自顺应热预算匹配计划，大幅提升工艺开发服从。

（3）三清山3号：12英寸单片均温/尖峰退火装备

三清山3号覆盖均温退火/尖峰退火等逻辑及存储应用场景，具备低热预算调控及超低温退火能力，使用工艺包括阱退火、深N阱退火、源漏退火、钴硅化物退火、镍硅化物退火等。

其产物特点包括：高吸取选绎性反射板计划及近外貌氮冷流场控制技能，实现低热预算机动调控；辐射式超低温测温技能及选择性透射石英窗技能，实观超低温退火工艺；器件级同步技能及毫秒级控制环路技能，提升片间重复性。

4、PVD（普陀山）：12英寸物理气相沉积装备

PVD（普陀山）包括3款装备，分别是普陀山1号（金属平面膜沉积）、普陀山2号（中道金属打仗层及硬掩膜沉积）、普陀山3号（后道金属互连沉积）。

普陀山1号实用于逻辑、存储及先辈封装等主流半导体金属平面膜应用场景，键膜匀称性高，同时具备高产能与高稳固性。

（1）普陀山1号AIOx：刻蚀拦截层工艺，氮化铝质料。

（2）普陀山1号TTN：衬垫层、扩散拦截层、硬掩模等工艺，钛、氮化钛等质料。

（3）普陀山1号SiN：DRAM位线电极封盖层工艺，氮化硅质料。

（4）普陀山1号W：DRAM位线工艺，钨质料。

其产物特点包括：全靶腐蚀算法搭配创新磁控溅射技能，明显提升膜层匀称性和靶材使用率；智能调度算法，提升多腔集成体系产能；创新人机交互界面，利用简朴。

普陀山2号实用于逻辑、存储等主流半导体中道金属打仗层及硬掩膜等应用场景，颗粒缺陷低，同时具备高性能与高稳固性。

（1）普陀山2号TiSi：中道金属硅化物工艺，钛、氮化钛等质料。

（2）普陀山2号Co Seed：中道钴种子层，钴、氮化钛等质料。

（3）普陀山2号VHF TiN：中后道硬掩膜，氮化钛质料。

其产物特点：高离化率射频等离子体技能，搭配卡盘偏压智能调控计划，确保卓越台阶覆盖率；创新甚高频射频源极架构，融合自顺应抑弧算法，大幅淘汰Arcing和Particle；全流程磁控管计划快速迭代，高效适配客户工艺开发需求。

普陀山3号实用于逻辑、存储和先辈封装等主流半导体后道金属互连场景，架构领先，填孔品格优异，支持向将来先辈节点演进，实用工艺包括后道金属互连，使用质料包括钽、氮化钽、钴、铜等。

其产物特点：多重电磁调控与高离化自电离等离子体技能，实现高质量金属填孔；创新磁控管轨迹规划和新型烘烤灯计划，实观全靶腐蚀与快速复机，助力客户低落运营本钱；10个主腔体设置，平台架构机动应对多元应用场景，一代计划支持多代制程。

5、ALD（阿里山）：12英寸原子层沉积装备

ALD（阿里山）装备有3款，分别是阿里山1号（PEALD，高保形性介质薄膜原子层沉积）、阿里山2号（Thermal ALD，介质刻蚀拦截层薄膜沉积）、阿里山3号（Metal ALD，高深宽比金属栅极原子层沉积）。

阿里山1号搭配五边形平台和Twin腔领先架构，覆盖先辈逻辑/存储前中后段介质薄膜应用场景，满足图形化，超薄薄膜，超高深宽比gap fill需求。实在用工艺包括多重曝光、栅氧化层、刻蚀拦截层、超高深宽比添补层，实用质料包括低温氧化硅、高温氧化硅、高质量氧化硅、氧化钛、氮化硅等。

阿里山1号的特点包括：超高速射频匹配以及毫秒级采样控制体系，保障成膜稳固性和一致性；小体积腔室+快速换气，进步等离子体密度，确保高速、高匀称性薄膜沉积；高精度控温花洒，低落Particle，提升MTBC；高集成化腔室+高速Wafer传输体系计划，增加Station密度，进步WPH。

阿里山2号具备单腔4-Station领先架构，覆盖先辈逻辑刻蚀拦截层薄膜应用场景，支持向将来先辈节点演进，实用工艺包括刻蚀拦截层，实用质料包括氮化铝、氧化铝等。

其产物特点包括：高匀称流热场腔室计划保障成膜匀称性；高精度射频体系搭配Sequential Process工艺模式保障成膜一致性；单腔4-Station先辈架构搭配智能凋度算法保障生产稳固高效；高匀称温控花洒，腔室全量吹扫功能，延伸腔室PM周期。

阿里山3号可全面覆盖逻组和存储金属原子层沉积应用场景，具备创新架构和领先性能，多种工艺高度集成，金属栅极全场景覆盖。

（1）阿里山3号NWF：金属栅N功函数层（含盖帽层）工艺，钛铝、氮化钛等质料。

（2）阿里山3号HK Cap：高介电常数介质盖帽层（含尖峰退火）工艺，钛硅氮质料。

（3）阿里山3号：金履栅P功函数层工艺，氮化硅质料。

（4）阿里山3号：刻蚀拦截层工艺，氮化钽质料。

（5）阿里山3号：金属栅极添补工艺，钨质料。

其产物特点包括：高匀称流热场计划，保障成膜匀称性；智能调度算法、毫秒级控制体系，实现产物一致性、稳固性；快速换气、零死区计划，淘汰Particle，提升MTBC；更大的工艺窗口，更卓越的性能与良率。

6、CVD（长白山）：12英寸化学气相淀积装备

CVD（长白山）有2款装备，分别是长白山1号（PECVD，介质薄膜沉积）和长白山3号（高保形性&选择性金属薄膜沉积）。

长白山1号具备单腔4-Station领先架构，全面覆盖還辑及存储介质薄膜多种工艺，实用工艺包括扩散拦截层、抗反射层、硬掩膜层、层间介质层、钝化掩护层等，实用质料包括掺杂碳化硅、掺氮氧化硅、掺碳氧化硅、非晶硅、氮化硅、氧化硅、氟化玻璃等。

其产物特点包括：高匀称流热场腔室计划保障成膜匀称性；高精度射频体系搭配Sequential Process工艺模式保障成膜一致性；单腔4-Station先辈架构搭配智能调度算法保障生产稳固高效；宽范围工艺位可调、宽RF体系匹配能力，满足多种制程工艺需求。

长自山3号全面覆盖逻辑和存储金属化学气相沉积应用场景，具备创新架构和领先性能，多种工艺高度集成。

（1）长白山3号Co：后段Cu覆盖层工艺，钴质料。

（2）长白山3号Sel W：中段Via添补层工艺，钨质料。

（3）长白山3号W：金属栅层W添补、中段Via添补层工艺，钨质料。

其产物特点包括：创新架构提供更大工艺窗口，确保卓越性能与质量；稳固可靠晶座、防Arcing和零死区混气计划，包管工艺一致性、长期稳固；智能调度算法与毫秒级控制体系实现稳固生产和高效产出。

13类量检测装备：光学量检测、

光学量测、PX量测、功率检测

新凯来已完成13类关键量检测产物开发，并在国内逻辑、存储和化合物的紧张半导体制造企业开始量产应用。

1、BFI（岳麓山）：明场有图案晶圆缺陷检测产物

BFI产物接纳自研深紫外宽谱等离子体光源、大NA物镜和高速探测器，为逻辑、存储客户提供高敏捷度、高产率、高检出率的有图案晶圆纳米级缺陷检测办理方案。

其应用场景覆盖研发独特缺陷和量产良率关键缺陷检测，包括但不限于桥接、断线、颗粒、残留、划痕和欠蚀；光刻工艺参数优化，包括但不限于光学相近效应修正迭代、光刻窗口辨别。

岳麓山产物有四大特点：

（1）高产率：高功率照明，大视场，高速探测器。

（2）高敏捷度：深紫外光源，大NA物镜，高动态范围成像。

（3）高检出率：高精准定位，先辈缺陷检测算法。

（4）高顺应性：多种光学模式覆盖前、中、后道各种关键类型缺陷。

2、DFI（丹霞山）：暗场有图案晶圆缺陷检测产物

DFI产物接纳自研大NA三通道收集物费和大功率深紫外一连激光，为逻辑、存储客户提供高敏捷度、低损伤、高产率的有图案晶圆纳米级缺陷检测办理方案。

其应用场景包括：全场景高敏捷、高检出随机缺陷检测；在线光刻显影后缺陷检测；工艺装备状态监控。

丹霞山的产物特点包括：

（1）高敏捷度：大功率深紫外一连激光，兼顾高散射服从与低损伤上风。

（2）高检出率：大NA三通道缺陷散射信号收集，检出率高。

（3）高顺应性：高性能算法，独特的通道融合低落晶圆圈形噪声。

（4）高产率：高速、高精度探测器，优异的整机动力学。

3、PC（蓬莱山）：无图案晶圆外貌缺陷检测产物

PC产物接纳自研低噪声探测器、高功率深紫外激光、高速旋转台，为IC厂、晶圆、装备、质料的研发与量产提供高产率、极致敏捷度的无图案缺陷检测办理方案。

应用场景包括晶圆出货及进货质量查抄；镀膜工艺研发及监控，包括但不限于外延、氧化物、氮化物、金属、光刻胶等；工艺装备一样平常颗粒监控。

其产物特点包括：

（1）高敏捷度&高产率：低噪声探测器，高性能光学体系，像素级融合算法。

（2）高顺应性：多种偏振、光阑等光学模式，支持各类膜层检测。

（3）高检出率：多重检测算法，通道融合，呆板学习。

（4）多维数据分析：智能化缺陷泉源定位，高效控片管理。

4、MBI（莫干山）：空缺掩模缺陷检测产物

MBI产物接纳自研大NA三通道物镜，超高干净控制等技能，为客户提供高员教度、高检出率和高产率的全场最空缺掩模敏路检测办理方案。

其应用场景包括掩模基板厂和光罩厂工艺过程控制、出货检、来料检和装备颗粒监控；支持掩模基板、掩模反面、镀膜层和光刻胶全场景检测；覆盖颗粒、污染、凸起、凹坑和划痕等多种缺陷类型。

莫干山的产物特点包括：

（1）高敏捷度&高产率：大NA三通道收集物镜，高匀称性照明，高速探测器。

（2）高检出率：自顺应阈值及多通道融合算法。

（3）高干净度：超高干净度控制技能，极低发尘率质料及运动部件计划。

（4）高顺应性：照明与收集偏振调制，具备傅里叶滤波的周期性图形掩模检测能力。

5、DBO（天门山）：衍射套刻量测产物

DBO产物接纳自研高亮宽谱光源、大NA物镜和低噪声探测髁，为客户提供高产率、高精度和高重复性的套刻量测办理方案。

其应用场景包括逻辑和存储显影后套刻量测，SWL、 MWL、 XYS等多种量测模式，多种量测标记。

天门山的产物特点：

（1）高产率：高亮光源，高速滤波，多波长产率高。

（2）高精度＆高重复性：对称光路计划，多模态照明模式。

（3）高顺应性：近红外波段拓展，自顺应套刻算法。

（4）智能高效：主动菜单创建，全局快速量测条件寻优。

（5）端到端办理方案：标记计划，套刻数据分析，无缝集成工艺闭环控制。

6、IBO（天门山）：图形套刻量测产物

IBO产物接纳自研高亮宽谱光源、高像质物镜和低噪声深测器，树立高产率、高精度和高重复性的图形套刻量测标杆。其应用场景包括广泛工艺的显影后套刻量测，SG、DG、XYS、CPL等多种量测模式，多种量测标记。

其产物特点包括：

（1）高产率：高亮光源，混合主动对焦架构，提供更高产率。

（2）高精度&高重复性：宽光谱一连滤波，高量测信噪比。

（3）高顺应性：近红外波段拓展，自顺应套刻算法。

（4）智能高效：主动菜单创建，全局快速量测条件寻优。

（5）端到端办理方案：标记计划，套刻数据分析，无缝集成工艺闭环控制。

7、AFM（沂蒙山）：原子力显微镜量测产物

AFM产物具备全主动外貌形貌和布局量测能力，为客户提供高产率、高精度和高可靠的亚纳米级至毫米级量测办理方案。

其应用场景包括：逻辑、存储、化合物和封装的平展化、干/湿法刻蚀、沉积和扩散等工艺后的量测；粗糙度、浅孔、尺寸、平面度、凹陷/腐蚀、台阶、晶粒和粘附力等多样化量测；AFM与台阶仪二合一，扩展台阶量测至毫米级。

沂蒙山的产物特点包括：

（1）高产率：高速工件台和快速光学定位体系，实现更高产率。

（2）高精度：极致平面度的长行程扫描器，实现外貌精准量测。

（3）高可用：全主动探针更换和寿命管理，提升装备在线时间，节流探针本钱。

（4）高服从：离线数据分析软件，直观高效数据后处置惩罚。

8、XPS（赤壁山-XP）：X射线光电子能谱量测产物

XPS产物具备全主动光电子能谱量测能力，为客户提供高产率，高精度和高再现性的超薄膜厚度与元素含量量测办理方案。

其应用场景包括离子氨化、金属栅极、超薄介质、侧壁隔离和外延等工艺后的量测；巨细光斑量测模式，支持无图案和有图案晶圆量测；XPS与低能量X射线荧光能谱二合一，使能超晶格共价化合物（硅-锗）薄膜量测。

赤壁山-XP产物特点包括：

（1）高产率：高通量的X射线光源和光路计划，支持高产率。

（2）高精度：优异的体系信噪比，量测效果更准确。

（3）高再现性：全主动康健自检自校，确保量测效果常稳可靠。

9、XRD（赤壁山-XD）：X射线衍射量测产物

XRD产物具备全主动外延表征能力，为客户提供高产率、高精度和高重复性的多样化量测办理方案。

其应用场景包括：单晶和多晶薄膜质料的晶体质量和相位分析，高分辨X射线衍射、微焦斑高分辨X射线衍射、快速微焦斑高分辨X射线衍射、广角散射、掠入射X射线衍射、极图、面内X射线衍射和X射线反射等多种量测模式；巨细光斑量测模式，支持无图案和有图案晶圆量测。

赤壁山-XD有如下产物特点：

（1）高产率：优异的X射线光路和五轴台计划，有效提升产率。

（2）高精度：高分辨测角仪，包管量测精度。

（3）高重复性：可靠稳固的硬件体系，支持量测高重复性。

（4）高机动性：多种量测模式主动切换，机动适配多种薄膜质料应用。

10、XRF（赤壁山-XF）：X射线荧光光谱量测产物

XRF产物具备全主动X射线荧光光谱量测能力，为客户提供高产率，高再现性和高机动性的薄膜厚度与元累含量量测办理方案。

其应用场景包括扩散隔绝、金属栅板和金属沉积等工艺后的膜厚量测；硼磷硅酸盐玻璃、磷硅酸盐玻璃、氟硅酸盐玻璃和合金薄膜的膜厚与元素含量量测；单层和复杂多层金属膜厚量测。

赤壁山-XF的产物特点有：

（1）高产率：优异的真空和高效的传片计划，实现高产率。

（2）高再现性：全主动康健自检自校，确保量测效果常稳可靠。

（3）高机动性：波长色散与能潜色散X射线荧光二合一，机动适配高产率和高分辨应用场景。

11、RATE-CP：晶圆电性能检测产物

CP产物紧张应用于碳化硅晶圆电性能检测，为客户提供高规格、高集成、高兼容的主动化检测办理方案。其应用场景包括搭配探针台，支持晶圆主动化电性能检测和筛选；搭配夹具，支持单管静态电性能检测和筛选。

其产物特点包括：

（1）高规格：高电压、大电流、高精度。

（2）高集成：支持DC、RGCG、EAS等多种检测。

（3）高兼容：适配各类型探针台，支持研发和量产检测。

（4）高稳固：体系级抗干扰与智能算法连合，实现数据稳固可靠。

12、RATE-KGD：功率Die电性能检测产物

KGD产物具备功率Die动静态电性能检测能力，为容户提供高规格、高服从、高兼容的主动化检期办理方案，应用场景包括功率Die电性能检测和筛选。

其产物特点如下：

（1）高规格：高电压，大电流、超低杂感、超高精度。

（2）高服从：创新Handler架构实现更高UPH，支持快速换线.

（3）高兼容：支持多种芯片尺寸、多种上下料方式；